EN
Hệ thống kiểm tra mô phỏng sự cố phóng điện cục bộ GIS PDS-GIS
Hệ thống thử nghiệm mô hình phóng điện cục bộ (PD) GIS cỡ đầy đủ PDS-GIS với buồng kín khí SF₆, 5 mô hình khuyết tật cách điện điển hình, giao diện phát hiện đa kênh, dành cho nghiên cứu cơ chế phóng điện cục bộ, hiệu chuẩn thiết bị và đào tạo nhân viên vận hành.
- Mô tả
- Đặc tả
- Ứng dụng
- Ưu điểm
- Câu hỏi thường gặp
- Sản Phẩm Đề Xuất
Mô tả
PDS-GIS là một nền tảng thử nghiệm mô phỏng phóng điện cục bộ (PD) chuyên dụng, kích thước đầy đủ và dựa trên hệ thống GIS được thiết kế cho nghiên cứu cơ chế phóng điện cục bộ, xác minh hiệu năng thiết bị phát hiện, đào tạo kỹ năng cho nhân viên vận hành và xây dựng cơ sở dữ liệu dấu vân tay phóng điện cục bộ tại các viện nghiên cứu năng lượng, các trường đại học, nhà sản xuất thiết bị điện áp cao, trung tâm đào tạo điện lực và các tổ chức kiểm tra độc lập. Nền tảng này tuân thủ nghiêm ngặt IEC 60270 , GB/T 7354-2003 và DL/T 1630-2016 các tiêu chuẩn buồng kín GIS thực tế được bố trí theo phương ngang và chứa đầy khí SF₆ để tái tạo chính xác cấu trúc cách điện bên trong và môi trường vận hành thực tế của thiết bị GIS.
Hệ thống tích hợp 5 mô hình khuyết tật cách điện GIS điển hình bao gồm đầu kim kim loại, điện thế nổi, khe hở không khí bên trong, hạt kim loại tự do và phóng điện trên bề mặt cách điện, với biên độ phóng điện có thể điều chỉnh liên tục và độ lặp lại tốt. Đặc điểm nổi bật của nền tảng là mức phóng điện cục bộ nền cực thấp (≤1 pC) đảm bảo tính xác thực và độ chính xác của tín hiệu thử nghiệm. Thiết bị tương thích đầy đủ với các phương pháp phát hiện phóng điện cục bộ (PD) phổ biến hiện nay, bao gồm phương pháp dòng xung, phương pháp tần số cực cao (UHF), phương pháp siêu âm và phương pháp biến dòng cao tần (HFCT), đồng thời được trang bị các giao diện tiêu chuẩn dự phòng cho nhiều loại cảm biến khác nhau, hỗ trợ nghiên cứu thử nghiệm so sánh và phát hiện kết hợp đa phương pháp.
Đặc tả
| Thông số kỹ thuật | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Các tiêu chuẩn tuân thủ | IEC 60270, GB/T 7354-2003, DL/T 1630-2016, DL/T 417-2006, GB/T 11023-2018 |
| Điện áp định số | điện áp xoay chiều tần số công nghiệp 110 kV |
| Điện áp chịu đựng tần số công nghiệp | 150 kV / 1 phút |
| Phóng điện cục bộ nền | ≤1 pC (ở điện áp định mức, không có khuyết tật được đưa vào) |
| Cấu trúc buồng | Buồng mô phỏng GIS kín bằng hợp kim nhôm nằm ngang |
| Môi trường cách điện | Khí SF₆ (áp suất làm việc từ 0,3 đến 0,5 MPa) |
| Tỷ lệ rò rỉ khí hàng năm | ≤0.5% |
| Các loại khuyết tật tích hợp | 5 loại: đầu kim loại, điện thế nổi, khe hở không khí bên trong, hạt kim loại tự do, phóng điện trên bề mặt cách điện |
| Phạm vi độ lớn phóng điện | Đầu kim loại: 5–800 pC; Điện thế nổi: 100–20.000 pC; Khe hở không khí: 10–1.000 pC; Hạt kim loại: 0,1–10 pC; Bề mặt: 10–1.000 pC |
| Chế độ điều khiển khuyết tật | Chuyển mạch bên ngoài độc lập, điều chỉnh liên tục cường độ |
| Các phương pháp phát hiện được hỗ trợ | Phương pháp dòng xung, phương pháp UHF, phương pháp siêu âm, phương pháp HFCT |
| Các giao diện tiêu chuẩn | Cổng hiệu chuẩn xung, cổng cảm biến UHF (2 cổng), cửa sổ phát hiện siêu âm, cổng dây nối đất HFCT, giao diện tụ ghép nối |
| Tụ ghép nối | 50pF tích hợp |
| Đo áp suất | Đồng hồ đo áp suất SF₆ độ chính xác cao có bù nhiệt độ |
| Các chức năng bảo vệ | Bảo vệ quá áp, quá dòng, van xả áp, tiếp đất đáng tin cậy |
| Dạng khung máy | Khung di động tích hợp với bánh xe vạn năng và chân điều chỉnh độ cân bằng |
| Nhiệt độ hoạt động | 0℃ ~ +40℃ |
| Độ ẩm | ≤85% RH (không ngưng tụ) |
| Kích thước tổng thể | ~2800 × 800 × 1200 mm (D×R×C) |
| Tổng trọng lượng | ~850 kg |
| Vật liệu vỏ hộp | Hợp kim nhôm cường độ cao + anod hóa bề mặt |
Ứng dụng
Các Tình Huống Ứng Dụng Cốt Lõi
- Hiệu chuẩn và kiểm định thiết bị hiệu chuẩn hiệu năng, kiểm tra độ nhạy và phát hiện chỉ số của các thiết bị phát hiện phóng điện cục bộ khác nhau
- Đào tạo thực hành : Đào tạo và đánh giá kỹ năng cho nhân viên vận hành và bảo trì điện, đào tạo nhận diện mẫu khuyết tật
- Nghiên cứu cơ chế phóng điện : Nghiên cứu cơ bản về đặc tính phóng điện cục bộ GIS, quy luật lan truyền và quá trình phát triển khuyết tật
- Xây dựng cơ sở dữ liệu dấu vân tay : Thu thập các mẫu PRPD tiêu chuẩn của các loại khuyết tật khác nhau, xây dựng cơ sở dữ liệu mẫu để nhận diện bằng trí tuệ nhân tạo
- Thí nghiệm giảng dạy : Các thí nghiệm giảng dạy dành cho sinh viên đại học và cao học chuyên ngành kỹ thuật điện
Các người dùng điển hình
- Các viện nghiên cứu điện lực : Các phòng thí nghiệm thử nghiệm điện áp cao, các viện nghiên cứu khoa học điện
- Các trường đại học và cao đẳng : Các khoa kỹ thuật điện, các phòng thí nghiệm trọng điểm về điện áp cao và cách điện
- Các nhà sản xuất thiết bị phát hiện phóng điện cục bộ (PD) : Hiệu chuẩn tại nhà máy và kiểm tra hiệu năng của các thiết bị phát hiện phóng điện cục bộ
- Các trung tâm đào tạo điện lực : Đào tạo và đánh giá kỹ năng cho nhân viên vận hành và bảo trì, trung tâm đào tạo phát hiện trực tiếp (live detection)
- Các tổ chức kiểm tra của bên thứ ba : Hiệu chuẩn thiết bị, nghiên cứu phương pháp thử nghiệm và xác minh tiêu chuẩn
Ưu điểm
Tuân thủ các tiêu chuẩn quốc tế và tiêu chuẩn ngành
Đáp ứng đầy đủ IEC 60270, DL/T 1630, GB/T 7354 → dữ liệu thử nghiệm có thể truy xuất được, và kết quả thử nghiệm mang tính thẩm quyền cũng như có thể so sánh được
Cấu trúc GIS thực tế & mức phóng điện nền cực thấp
Buồng cách điện bằng khí SF₆ với kích thước đầy đủ, độ nhiễu nền ≤1pC → khôi phục chính xác đặc tính phóng điện tại hiện trường, đảm bảo tính chân thực của tín hiệu
5 Khuyết tật điển hình và dải phóng điện rộng
Bao quát tất cả các sự cố cách điện GIS phổ biến, độ lớn phóng điện từ 0,1 pC đến 20.000 pC → một hệ thống đáp ứng đa dạng yêu cầu thử nghiệm, từ phóng điện vi mô đến sự cố nghiêm trọng
Tương thích đầy đủ với các phương pháp phát hiện
Hỗ trợ thử nghiệm kết hợp nhiều phương pháp: dòng xung/UHF/siêu âm/HFCT → có thể sử dụng cùng nhiều thiết bị phát hiện phóng điện cục bộ (PD) để nghiên cứu so sánh và hiệu chuẩn thiết bị
Đặc tính phóng điện ổn định và lặp lại được
Điện cực độ chính xác cao, cường độ phóng điện điều chỉnh được, độ ổn định dài hạn tốt → phù hợp cho nghiên cứu cơ chế dài hạn và thử nghiệm hiệu chuẩn loạt
Câu hỏi thường gặp
Câu hỏi: Hệ thống này có thể mô phỏng những loại khuyết tật phóng điện cục bộ (PD) nào trên GIS?
Trả lời: PDS-GIS tích hợp 5 mô hình khuyết tật cách điện GIS điển hình, bao quát gần như toàn bộ các loại sự cố phổ biến trong vận hành thực tế:
- Phóng điện đầu kim kim loại: mô phỏng các vết gờ trên dây dẫn và các vết xước do lắp đặt
- Phóng điện tiềm năng nổi: mô phỏng các thành phần kim loại không được nối đất
- Phóng điện trong khe hở không khí bên trong: mô phỏng các khuyết tật dạng lỗ rỗng bên trong cách điện epoxy do quá trình sản xuất gây ra
- Phóng điện do hạt kim loại tự do: mô phỏng các tạp chất dẫn điện còn sót lại trong quá trình lắp đặt
- Phóng điện trên bề mặt cách điện: mô phỏng các sự cố do nhiễm bẩn và độ ẩm trên bề mặt Mỗi khuyết tật có thể được bật/tắt độc lập, đồng thời hỗ trợ kiểm tra chồng lấn các khuyết tật kết hợp.
Câu hỏi: Ý nghĩa của mức phóng điện cục bộ nền ≤1pC là gì?
Trả lời: Phóng điện nền là hiện tượng phóng điện vốn có của bản thân hệ thống thử nghiệm. Nếu mức phóng điện nền quá cao, nó sẽ làm át đi tín hiệu phóng điện yếu từ khuyết tật và ảnh hưởng đến tính chân thực cũng như độ chính xác của phép thử. Mức phóng điện nền cực thấp ≤1pC của thiết bị PDS-GIS đảm bảo rằng toàn bộ tín hiệu phát hiện được đều bắt nguồn hoàn toàn từ mô hình khuyết tật, đồng thời có khả năng phát hiện ổn định các hiện tượng phóng điện vi mô thấp tới 0,1pC, đáp ứng đầy đủ yêu cầu về độ nhạy cao trong thử nghiệm và hiệu chuẩn thiết bị.
Câu hỏi: Hệ thống hỗ trợ những phương pháp phát hiện phóng điện cục bộ nào?
Trả lời: Hệ thống hỗ trợ đầy đủ 4 phương pháp phát hiện phóng điện cục bộ (PD) chủ lưu cho GIS:
- Phương pháp dòng xung: phát hiện định lượng theo tiêu chuẩn IEC 60270
- Phương pháp UHF: phát hiện sóng điện từ tần số cực cao
- Phương pháp siêu âm: phát hiện dao động âm thanh
- Phương pháp HFCT: phát hiện dòng điện tần số cao trên dây nối đất Các giao diện lắp đặt tiêu chuẩn được dự trữ riêng cho từng phương pháp phát hiện, có thể sử dụng cùng với các thiết bị phát hiện phóng điện cục bộ (PD) của nhiều thương hiệu khác nhau để hiệu chuẩn và thử nghiệm so sánh.
Câu hỏi: Hệ thống này có thể dùng để hiệu chuẩn các thiết bị phát hiện phóng điện cục bộ (PD) không?
Trả lời: Có. Hệ thống PDS-GIS được trang bị cổng tiêm xung tiêu chuẩn, có thể kết nối với thiết bị hiệu chuẩn PD để thực hiện hiệu chuẩn định lượng. Biên độ phóng điện của từng mô hình khuyết tật có thể điều chỉnh liên tục và đảm bảo độ lặp lại tốt, do đó có thể được sử dụng làm nguồn tín hiệu chuẩn nhằm kiểm tra độ nhạy phát hiện, độ chính xác đo lường và khả năng nhận dạng khuyết tật của các thiết bị phát hiện PD khác nhau.
